硅、鍺等半導體材料的區熔提純設備。

①采用真空區熔工藝，感應器通過變頻機構緩慢移動，速度可調節。

②固態高頻MOSFET電源，設備體積??；恒功率控制技術，工藝穩定。

③與原電子管高頻電源相比，節電率30%以上，并且工藝可控性好。

④低壓諧振，電磁輻射小，工作環境安全。

⑤采用PLC+HMI，可實現自動加熱控制，方便靈活。

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鍺提純

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